等离子体平板显示器寻址驱动芯片制备方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种等离子体平板显示器选址驱动芯片制备方法。主要解决现有PDP选址驱动芯片的高低压兼容问题和生产成本高的问题。采用在不同的外延块上实现高压VDMOS、LDMOS管，低压NPN、CMOS管的一体化集成，其主要过程是：备片，制作N型埋层、P型埋层，长外延层；制作N+深入区、P阱、P场、N场；场氧化、调整阈值电压、栅氧化、淀积并光刻多晶硅；硼注入、N+磷注入、P+硼注入，分别形成所述四种管子的主要区域，最后经退火、淀积SiO₂与硼磷硅玻璃、淀积与光刻金属层和介质层、钝化后进行合金，完成整个集成器件的制作。本发明具有生产成本低，耐压及电流能力强的优点，可用于制作各种高电压的功率集成电路。

基本信息

专利标题：

等离子体平板显示器寻址驱动芯片制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1746954A

申请号：

CN200510096161.6

公开（公告）日：

2006-03-15

申请日：

2005-10-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

庄奕琪李小明张丽邓永洪

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071陕西省西安市太白路2号

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

王品华

优先权：

CN200510096161.6

主分类号：

G09G3/28

IPC分类号：

G09G3/28 G09G3/20 H01J17/49 G09F9/313

IPC结构图谱

G部——物理

G09

教育；密码术；显示；广告；印鉴

G09G

对用静态方法显示可变信息的指示装置进行控制的装置或电路传输数据的装置在数字计算机与显示器之间入G06F3/14；由若干分离源或光控的光电池结合而成的静态指示装置入G09F9/00；由若干光源的组合而构成的静态的指示装置入H01J，H01K，H01L，H05B33/12；文件或者类似物的扫描、传输或者重现，如传真传输，其零部件入H04N1/00）

G09G3/00

仅考虑与除阴极射线管以外的目视指示器连接的控制装置和电路

G09G3/04

用于从许多字符中选取单个字符或用个别的元件组合构成字符来显示单个字符，例如分段

G09G3/16

采用控制独立光源的发光

G09G3/28

采用发光的气体放电面板，例如等离子体面板

法律状态

2015-12-09 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101636686188
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005100961616
申请日 : 20051014
授权公告日 : 20071226
终止日期 : 20141014

2007-12-26 ：

授权

2006-05-10 ：

实质审查的生效

2006-03-15 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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