一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护器件
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本实用新型的阱区上方设置有多晶硅层和SiO2氧化层。多晶硅层和SiO2氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠近P阱的侧面与P阱N+注入区靠近N阱的侧面之间的距离。多晶硅层和SiO2氧化层开有与注入区对应的通孔。本实用新型可以使中心N+注入区、N+注入区和P+注入区能够穿越通孔注入到对应的阱区，能够显著地提高静电电流泄放的有效面积，更均匀、更分散、更快地泄放掉，从而提高了静电放电防护电路的静电耐受力，有效提高防护静电能力。
基本信息
专利标题 ：
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720106946.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-03-05
授权号 ：
CN201041806Y
授权日 ：
2008-03-26
发明人 ：
曾才赋韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅杜晓阳洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
张法高
优先权 ：
CN200720106946.1
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L23/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2010-08-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止授权公告日 : 20080326
号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004348045
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2007201069461
申请日 : 20070305
号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101004348045
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利号 : ZL2007201069461
申请日 : 20070305
2008-03-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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