本实用新型涉及在改性的高透光率的柔性基片上制造太阳能光伏电池，属于柔性非晶硅薄膜太阳能电池制造技术领域。本实用新型以提高光电转化效率为目的，用改性的，透光率90％－93％的，聚酰亚胺PI基片作衬底，并改变非晶硅PIN薄膜叠层结构，在350℃以上溅射沉积导电膜，高透光率的PI基片，用来制备单结或多结非晶硅电池。本实用新型积极效果置备和应用改性的基片，在温度为350℃－400℃条件下，耐温4小时不变形。显著地提高了柔性非晶硅太阳能电池的光电转换效率和性价比。