一种主开关电源专用的开关晶体管
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种主开关电源专用的开关晶体管,其芯片面积的取值范围为6~12平方毫米,所述芯片的高阻层电阻率的取值范围为20~40欧姆厘米。所述芯片的BVceo取值范围为300~400伏特。本实用新型的开关晶体管的芯片面积降低了20%以上,晶体管的高阻层电阻率从40~50Ω·cm降低到20~40Ω·cm,开关晶体管的输出功率增大,且热损耗降低,不仅节约了成本,还提高了开关晶体管的安全性能。

基本信息
专利标题 :
一种主开关电源专用的开关晶体管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720171912.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-09-19
授权号 :
CN201084733Y
授权日 :
2008-07-09
发明人 :
顾卓沈美林
申请人 :
深圳市晶导电子有限公司
申请人地址 :
518101广东省深圳市宝安70区留仙二路鸿威工业园D栋一、二层
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
郑小粤
优先权 :
CN200720171912.0
主分类号 :
H01L29/73
IPC分类号 :
H01L29/73  
法律状态
2017-10-31 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 29/73
申请日 : 20070919
授权公告日 : 20080709
2009-07-22 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 深圳市晶导电子有限公司
变更后 : 深圳市晶导电子有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 广东省深圳市宝安70区留仙二路鸿威工业园D栋一、二层,邮编 : 518101
变更后 : 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园3号厂房1-4层,邮编 : 518101
2008-07-09 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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