高密度高屏蔽连接器公座插头
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种高密度高屏蔽连接器公座插头,包括端子座、包覆于端子座外面的EMI外壳和用于容置并固定端子座及EMI外壳的壳体,所述的端子座上设有复数个端子,端子与线缆联接,所述的壳体设有用于穿过线缆的线孔;所述的端子座包括上半部和下半部,所述的端子座上半部和端子座下半部为可拆式联接,并各设有两排端子,所述端子座上半部与端子座下半部之间于端子接线端的相邻处设有一绝缘片,所述的绝缘片内设有一导电薄片,所述导电薄片的两端与EMI外壳电性联接。本实用新型可用于各类计算机以及通讯类设备的连接器结构中,具有高密度、高屏蔽的特点。
基本信息
专利标题 :
高密度高屏蔽连接器公座插头
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720171918.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-09-21
授权号 :
CN201112818Y
授权日 :
2008-09-10
发明人 :
郭小松
申请人 :
安费诺东亚电子科技(深圳)有限公司
申请人地址 :
518132广东省深圳市宝安区公明镇东坑路段工业总公司第四工业区A3/A4栋
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200720171918.8
主分类号 :
H01R13/46
IPC分类号 :
H01R13/46 H01R13/426
法律状态
2017-11-24 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01R 13/46
申请日 : 20070921
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20160921
申请日 : 20070921
授权公告日 : 20080910
终止日期 : 20160921
2008-09-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载