一种实现NOR FLASH坏块管理的控制电路，涉及FLASH闪存技术领域。本实用新型包括分为普通区、常用区和替换区的FLASH。普通区和常用区为系统总线可访问区域，普通区不可被替换。常用区可通过替换区对坏块的逻辑地址进行替换。替换区为常用区的替换备份区。本实用新型控制电路还包括控制FLASH擦替换的擦替换控制单元、系统上电时用来检查并校验写错误的上电纠错单元、索引存储单元以及控制FLASH擦写时序的FLASH接口单元。同现有技术相比，本实用新型通过对FLASH进行物理上的配置分区，对坏块进行记录和擦写替换以及上电纠错，实现系统逻辑地址访问NOR FLASH时，有不同擦写耐力。