测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统
授权
摘要
本发明公开了一种测试Nand‑flash坏块的控制方法及系统，方法包括：将Nand‑flash和测试板卡通信连接；将上位机和测试板卡通信连接；控制上位机对Nand‑flash进行开卡操作；控制上位机对Nand‑flash进行读写测试；本发明提出的测试Nand‑flash坏块的控制方法，能够在Nand‑flash未焊接至实际应用产品时，即对Nand‑flash的可靠性质量指标进行测试，即直接将Nand‑flash通过安装于测试板卡，再通过上位机来进行读写测试，并基于读写测试前的测前信息，和读写测试后的测后信息来进行分析，以得到测试结果信息。
基本信息
专利标题 ：
测试Nand-flash坏块的控制方法及控制系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113270136A
申请号 ：
CN202110607418.9
公开（公告）日 ：
2021-08-17
申请日 ：
2021-06-01
授权号 ：
CN113270136B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
唐畅陈月玲刘宇洋谢启友
申请人 ：
湖南博匠信息科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓景路2号长沙生产力促进中心
代理机构 ：
长沙智勤知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
彭凤琴
优先权 ：
CN202110607418.9
主分类号 ：
G11C29/44
IPC分类号 ：
G11C29/44 G11C29/56 G06F3/06 G06F11/10 G11C29/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
G11C29/44
错误指示或识别，例如，修复
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-09-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/44
申请日 : 20210601
申请日 : 20210601
2021-08-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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