本实用新型涉及一种具有双边带陡降特性的新型频率选择表面。传统频率选择表面选择性低、性能稳定性差、体积大。本实用新型在介质基片的两面镀有金属层，贯穿整个介质基片开有排列为多组大小正方形的金属化通孔，形成多组高频、低频基片集成波导腔体。相邻高频、低频腔体内的上、下金属层蚀刻相同的正方环形耦合缝隙。与普通的由两种不同尺寸的周期性贴片或者缝隙构成的双频带频率选择表面相比，本实用新型由于引入了腔体谐振模式，实现了通带的双边陡降特性，大大提高了通带的选择特性，其性能对于入射波的角度和极化性的稳定性好。