金属液滴偏转距离测控装置
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种均匀充电金属液滴偏转距离测控装置,包括偏转电极、充电电极、回收槽和充电调制电路,其特点是还包括光源、图像采集卡、CCD摄像机、金属液滴喷射装置、激振源、电压调节电路、D/A转换电路、图像采集处理模块以及高压直流电源,CCD摄像机将采集的照片传给图像采集处理模块,图像采集处理模块输出信号经D/A转换电路转换为模拟信号,控制充电调制电路调节充电脉冲的幅值。本实用新型通过CCD摄像机拍摄偏转金属液滴流照片,根据照片测量金属熔滴偏转距离,根据测量结果改变充电电压幅值,从而实现充电液滴偏转距离的控制。避免了高温液滴流污染、损坏检测装置的问题,实现了液滴偏转距离的精确控制。
基本信息
专利标题 :
金属液滴偏转距离测控装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820028167.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-01-22
授权号 :
CN201148460Y
授权日 :
2008-11-12
发明人 :
齐乐华罗俊杨观周计明杨方
申请人 :
西北工业大学
申请人地址 :
710072陕西省西安市友谊西路127号
代理机构 :
西北工业大学专利中心
代理人 :
黄毅新
优先权 :
CN200820028167.9
主分类号 :
C23C4/08
IPC分类号 :
C23C4/08 C23C4/12 G05D3/20
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4/00
熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆(堆焊入B23K,例如B23K5/18,B23K9/04
C23C4/04
以镀覆材料为特征的
C23C4/06
金属材料
C23C4/08
仅含金属元素的
法律状态
2014-03-12 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101578132249
IPC(主分类) : C23C 4/08
专利号 : ZL2008200281679
申请日 : 20080122
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20130122
号牌文件序号 : 101578132249
IPC(主分类) : C23C 4/08
专利号 : ZL2008200281679
申请日 : 20080122
授权公告日 : 20081112
终止日期 : 20130122
2008-11-12 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载