超级电容储能控制装置

专利权的终止

摘要

一种超级电容储能控制装置，属于电能质量控制技术领域。由二极管、IGBT、电感、超级电容组成，二极管(4)的阳极、阴极分别接至超级电容(8)的负极、正极；二极管(3)的阳极、阴极分别接至超级电容(8)的正极、IGBT5的集电极，二极管(1)、二极管(2)分别与IGBT(5)、IGBT(6)反向并联，电感(7)的两个端点分别连接到超级电容(8)的正极和IGBT5的发射极；IGBT(6)的集电极与IGBT(5)的发射极相连，IGBT(6)的发射极与超级电容的负极相连。优点在于：能够适应超级电容各种需要快速充放电的场合，采用由二极管和IGBT构成的升降压斩波电路作为充放电电路，通过对IGBT的控制实现对超级电容充放电的控制，充放电速度快，效率高。

基本信息

专利标题：

超级电容储能控制装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820080258.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-04-28

授权号：

CN201188553Y

授权日：

2009-01-28

发明人：

劳斯佳戴成昕叶飞单任仲尹忠东

申请人：

华北电力大学

申请人地址：

102206北京市昌平区朱辛庄华北电力大学

代理机构：

北京华谊知识产权代理有限公司

代理人：

刘月娥

优先权：

CN200820080258.7

主分类号：

H02J15/00

IPC分类号：

H02J15/00