抑制静磁场低频磁场干扰的屏蔽室
专利权的终止
摘要

一种能够抑制静磁场和低频磁场干扰的屏蔽室。属于空间物理技术领域,特别涉及抑制电磁干扰的工程技术专业。它的框架采用木质材料,为减少材料的消耗,内外面由硅钢片循环包镶;相邻硅钢片之间的接缝叠压2cm,接缝叠压除拐角用钉铆外,其余部分均采用胶带贴合,降低费用且不扰乱原材料的晶格结构和性能;门口延伸成门道,便于通风且降低“漏磁”;硅钢片和铝板包(镶)完成后,需要木质板密集排列向壁腔方向挤压铆实,再加非金属材料装饰层,使整个硅钢片和铝板结构形成密封,利于导磁通路且防止金属氧化。本屏蔽室营造了一个磁场既弱又均匀而且范围较大的三维空间。

基本信息
专利标题 :
抑制静磁场低频磁场干扰的屏蔽室
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820114402.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-05-19
授权号 :
CN201248228Y
授权日 :
2009-05-27
发明人 :
张睿霦何凡
申请人 :
北京京地磁应用研究所
申请人地址 :
100081北京市海淀区民族大学南路11号2号楼9-202
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN200820114402.4
主分类号 :
H05K9/00
IPC分类号 :
H05K9/00  
法律状态
2015-07-01 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101615822602
IPC(主分类) : H05K 9/00
专利号 : ZL2008201144024
申请日 : 20080519
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20140519
2009-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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