抗干扰磁场传感器
授权
摘要
本实用新型涉及一种抗干扰磁场传感器,所述抗干扰磁场传感器包括:置位复位线圈,所述置位复位线圈包括多根相互平行的导线,且所述多根导线的宽度相同;至少一个磁阻单元,所述磁阻单元设置于所述置位复位线圈上方或下方,所述磁阻单元具有易磁化轴和与所述易磁化轴相垂直的磁敏感轴,所述磁阻单元的延伸方向与所述易磁化轴平行;解决了现有技术中磁场传感器的磁阻单元两端磁场过小,退磁很快,从而影响磁场传感器测量精度的技术问题;增加了磁阻单元被激励后两端的磁场强度,有效降低外界磁场对磁阻传感器的干扰,提高在复杂环境中磁场传感器的检测精度。
基本信息
专利标题 :
抗干扰磁场传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122886100.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-19
授权号 :
CN216434337U
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
郭慧芳张水华倪佳乐
申请人 :
上海矽睿科技股份有限公司
申请人地址 :
上海市长宁区定西路1328号3楼307室
代理机构 :
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
郑久兴
优先权 :
CN202122886100.7
主分类号 :
G01R33/09
IPC分类号 :
G01R33/09
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2022-05-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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