三轴磁场传感器

授权

摘要

本实用新型提供一种三轴磁场传感器，其包括：第一导电类型衬底；第一垂直霍尔传感器，其包括延伸至第一导电类型衬底内的第一个第二导电类型阱，以及沿延伸至第一个第二导电类型阱内的第一组第二导电类型端口；第二垂直霍尔传感器，其包括延伸至第一导电类型衬底内的第二个第二导电类型阱，以及延伸至第二个第二导电类型阱内的第二组第二导电类型端口；平面霍尔传感器，其包括延伸至第一导电类型衬底内的第三个第二导电类型阱，以及延伸至第三个第二导电类型阱内的第三组第二导电类型端口。与现有技术相比，本实用新型不仅可以实现探测三轴磁场，而且制备工艺简单，零点不受强磁场干扰的影响。

基本信息

专利标题：

三轴磁场传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021070425.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-11

授权号：

CN212433375U

授权日：

2021-01-29

发明人：

李大来蒋乐跃

申请人：

新纳传感系统有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区国家高新技术产业开发区新辉环路2号

代理机构：

苏州简理知识产权代理有限公司

代理人：

朱亦倩

优先权：

CN202021070425.7

主分类号：

G01R33/07

IPC分类号：

G01R33/07