磁场传感器和制造磁场传感器的方法
公开
摘要
本发明涉及磁场传感器和制造磁场传感器的方法，该磁场传感器可包含具有平坦表面的半导体结构以及第一、第二及第三感测装置。该半导体结构可包含其中具有二维电子气的半导体构件及设置在该半导体构件上的绝缘体构件。该第一感测装置可配置为感测沿平行于该平坦表面的第一轴的磁场。该第二感测装置可配置为感测沿着平行于该平坦表面且正交于该第一轴的第二轴的磁场。该第三感测装置可配置为感测沿与该平坦表面成直角的第三轴的磁场。该第一、第二及第三感测装置中的每个可形成于该半导体结构中，且可包含从该绝缘体构件延伸到该二维电子气的电极。
基本信息
专利标题 ：
磁场传感器和制造磁场传感器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114563740A
申请号 ：
CN202111132926.2
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑萍卓荣发孙永顺
申请人 ：
新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡，新加坡城
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111132926.2
主分类号 ：
G01R33/00
IPC分类号 ：
G01R33/00 G01R33/07 H01L43/04 H01L43/06 H01L43/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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