磁传感器及测量外磁场的方法
专利权的终止
摘要

本发明提供磁传感器及测量外磁场的方法。本发明提供具有至少一个磁致电阻元件的磁传感器且利用特别设计的软磁材料结构。所述磁致电阻元件位于形成在第一和第二软磁材料结构之间的间隙附近且适于检测跨过所述间隙发出的间隙磁场。该间隙磁场的方向可基本不同于外加磁场的方向。因此该传感器可应用于将外加磁场局部重定向且偏转至所述磁致电阻元件基本灵敏的方向。如果外磁场指向基本平行于磁致电阻元件的表面法线的方向,这是特别适用的。此外,间隙磁场在外磁场的方向与参考方向之间的角度的大范围可表现出恒定的取向和恒定的幅度。因此,该磁传感器可用作南北传感器或者甚至北、东、南、西传感器,允许与取向灵敏磁致电阻元件结合明确确定磁场的方向。

基本信息
专利标题 :
磁传感器及测量外磁场的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1790044A
申请号 :
CN200510124807.7
公开(公告)日 :
2006-06-21
申请日 :
2005-11-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
休伯特·格里姆简·马里恩罗尔夫·谢弗
申请人 :
国际商业机器公司
申请人地址 :
美国纽约
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
李晓舒
优先权 :
CN200510124807.7
主分类号 :
G01R33/09
IPC分类号 :
G01R33/09  H01L43/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2019-11-05 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01R 33/09
申请日 : 20051115
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20181115
2010-05-05 :
授权
2006-08-16 :
实质审查的生效
2006-06-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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