基于光学干涉原理的高精度磁场传感器及其测量方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了基于光学干涉原理的高精度磁场传感器，包括圆柱形树脂固定模具，树脂固定模具的中心处穿插有Terfenol‑D磁致伸缩材料棒，Terfenol‑D磁致伸缩材料棒插入树脂固定模具的一端端部设有铜制抛光反射片；还包括树脂底座模具，树脂底座模具中心穿插有陶瓷插针，树脂底座模具与树脂固定模块之间构成以空气为介质的法珀腔体。本发明提供的传感器具有结构简单、测量精度高、体积小巧、使用方便、抗干扰能力强的突出优点。
基本信息
专利标题 ：
基于光学干涉原理的高精度磁场传感器及其测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545301A
申请号 ：
CN202111610929.2
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张嘉伟付庚
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
许志蛟
优先权 ：
CN202111610929.2
主分类号 ：
G01R33/032
IPC分类号 ：
G01R33/032
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备，例如法拉第的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/032
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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