新型集成闭环式磁场传感器
授权
摘要
新型集成闭环式磁场传感器,包括:衬底;设置于所述衬底上的磁阻传感层,所述磁阻传感层上设置有用于向外输出电压信号的输出端;设置于所述磁阻传感层上的绝缘层;设置于所述绝缘层上的磁电复合层,所述磁电复合层包括位于所述绝缘层上的铁磁层和位于所述铁磁层上的压电层,所述铁磁层上设置有用于接收反馈电压的电压加载端。本实用新型的闭环式磁场传感器,采用磁电薄膜作为传感器的磁场反馈部分,磁电薄膜将电压转化为内部磁场的变化,从而可以在芯片内部形成闭环结构,大幅降低了磁场传感器的重量和体积,同时配合作为磁场的探测部分的磁阻芯片,传感器可以获得高的灵敏度以及大的线性范围,且实现了低功耗。
基本信息
专利标题 :
新型集成闭环式磁场传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922230367.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-13
授权号 :
CN211554287U
授权日 :
2020-09-22
发明人 :
刘明关蒙萌胡忠强周子尧朱家训吴金根
申请人 :
珠海多创科技有限公司
申请人地址 :
广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5-B单元
代理机构 :
广东朗乾律师事务所
代理人 :
杨焕军
优先权 :
CN201922230367.3
主分类号 :
G01R33/05
IPC分类号 :
G01R33/05
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/04
应用磁通控制原理
G01R33/05
在薄膜元件中
法律状态
2020-09-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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