一种磁场/加速度集成传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种磁场/加速度集成传感器，所述传感器包括设置在同一芯片上的磁场传感器和加速度传感器，磁场传感器磁敏感单元包括硅磁敏三极管和霍尔磁场传感器，其中，霍尔磁场传感器以原位掺杂纳米硅薄膜nc‑Si:H(n+)作为磁敏感层，加速度传感器敏感单元主要为原位掺杂的纳米多晶硅薄膜电阻，可实现对三维磁场和三轴加速度的同时测量。本实用新型基于微电子机械加工技术在SOI晶圆器件层上完成集成传感器芯片制作，并通过键合工艺和内引线压焊技术实现芯片封装，具有体积小、易于批量生产等特点。
基本信息
专利标题 ：
一种磁场/加速度集成传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921572747.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-20
授权号 ：
CN211263740U
授权日 ：
2020-08-14
发明人 ：
赵晓锋王颖于志鹏温殿忠
申请人 ：
黑龙江大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
代理机构 ：
北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘冬梅
优先权 ：
CN201921572747.9
主分类号 ：
G01R33/07
IPC分类号 ：
G01R33/07 G01P15/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/07
霍耳效应器件
法律状态
2020-08-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
