升降结构改良
专利权的终止
摘要

本实用新型是有关于一种升降结构改良,包括:一底座,中央设置一穿孔,一侧活动设有一固定杆;一限位单元,设置于底座上,包含一座体,座体上具有与穿孔对应的对应孔,座体相邻二侧设有第一L型板,第一L型板具有与固定杆嵌接的嵌接部,座体相邻另外二侧与第一L型板外侧分别设置至少二支柱,各支柱分别设置一滚轮,滚轮上设有传动件;一活动座,设置于限位单元上,包含层叠于座体上的载板,载板相邻二侧设有第二L型板,载板相邻另外二侧与第二L型板外侧分别结合传动件;以及一承板,层叠于载板上。藉此,可带动活动座的升降使晶圆置放于承板上,并在取用晶圆时,开启第一、二L型板进行承板与晶圆的拿取,而达到易于置放及拿取晶圆的功效。

基本信息
专利标题 :
升降结构改良
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820126287.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-08-22
授权号 :
CN201274288Y
授权日 :
2009-07-15
发明人 :
周士杰
申请人 :
可士达科技有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市
代理机构 :
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 :
寿 宁
优先权 :
CN200820126287.2
主分类号 :
H01L21/673
IPC分类号 :
H01L21/673  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2011-11-02 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101127314092
IPC(主分类) : H01L 21/673
专利号 : ZL2008201262872
申请日 : 20080822
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20100822
2009-07-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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