多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明披露了一种多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)薄膜：SivOwCxHyFz，其中v+w+x+y+z＝100％，v为10-35％原子，w为10-65％原子，x为5-30％原子，y为10-50％原子，而z为0-15％原子，所述薄膜具有带碳键如甲基(Si-CH3)的硅酸盐网络并且有直径小于3nm当量球体直径的孔，且介电常数小于2.7。由有机硅烷和/或有机硅氧烷前体，以及独立的成孔前体，通过化学气相淀积方法沉积预备薄膜。成孔剂前体在预备薄膜内形成孔，随后被除去以提供多孔薄膜。组合物，即成膜成套工具包括：含至少一个Si-H键的有机硅烷和/或有机硅氧烷化合物，以及含醇、醚、羰基、羧酸、酯、硝基、伯胺、仲胺和/或叔胺官能团或其组合的烃的成孔剂前体。

基本信息

专利标题：

多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN103276370A

申请号：

CN201310216757.X

公开（公告）日：

2013-09-04

申请日：

2005-09-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

A.S.鲁卡斯E.J.小卡瓦基M.L.奥内尔J.L.文森特R.N.维蒂斯

申请人：

气体产品与化学公司

申请人地址：

美国宾夕法尼亚州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨思捷

优先权：

CN201310216757.X

主分类号：

C23C16/448

IPC分类号：

C23C16/448 C23C16/56 H01L21/31

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

C23C16/44

以镀覆方法为特征的

C23C16/448

产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华

法律状态

2015-12-23 ：

发明专利申请公布后的视为撤回

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101725482220
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利申请号 : 201310216757X
申请公布日 : 20130904

2013-10-09 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101527528451
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利申请号 : 201310216757X
申请日 : 20050928

2013-09-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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