多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明披露了一种多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)薄膜：SivOwCxHyFz，其中v+w+x+y+z＝100％，v为10－35％原子，w为10－65％原子，x为5－30％原子，y为10－50％原子，而z为0－15％原子，所述薄膜具有带碳键如甲基(Si－CH3)的硅酸盐网络并且有直径小于3nm当量球体直径的孔，且介电常数小于2.7。由有机硅烷和/或有机硅氧烷前体，以及独立的成孔前体，通过化学气相淀积方法沉积预备薄膜。成孔剂前体在预备薄膜内形成孔，随后被除去以提供多孔薄膜。组合物，即成膜成套工具包括：含至少一个Si－H键的有机硅烷和/或有机硅氧烷化合物，以及含醇、醚、羰基、羧酸、酯、硝基、伯胺、仲胺和/或叔胺官能团或其组合的烃的成孔剂前体。
基本信息
专利标题 ：
多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1782124A
申请号 ：
CN200510129199.9
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·S·鲁卡斯E·J·小卡瓦基M·L·奥内尔J·L·文森特R·N·维蒂斯
申请人 ：
气体产品与化学公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘健
优先权 ：
CN200510129199.9
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 H01L21/31 H01L27/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2017-07-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101755458082
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利号 : ZL2005101291999
登记生效日 : 20170629
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 气体产品与化学公司
变更后权利人 : 弗萨姆材料美国有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国宾夕法尼亚州
变更后权利人 : 美国亚利桑那州
号牌文件序号 : 101755458082
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利号 : ZL2005101291999
登记生效日 : 20170629
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 气体产品与化学公司
变更后权利人 : 弗萨姆材料美国有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国宾夕法尼亚州
变更后权利人 : 美国亚利桑那州
2013-07-17 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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