低介电常数聚合物膜及其制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种低介电常数聚合物膜及其制备方法。所述聚合物膜具有两个致密皮层，内部为大小在0.5－1.5微米的蜂窝结构，厚度在30－200微米之间，孔隙率为50－85％，介电常数为1.5－2.5。所述聚合物膜制备的步骤依次为：(1)将聚合物、添加剂溶解在溶剂中配成质量浓度为10－25％的制膜液；(2)将制膜液流延于不锈钢载体上刮成厚度为100－500微米的液膜；(3)把带有液膜的载体浸入凝固浴中固化成膜；(4)清洗、干燥。通过改变制膜液组成与液膜厚度、凝固浴组成和温度来调节聚合物膜的结构和介电常数。所述制备方法适用的聚合物种类多，是制备超低介电常数聚合物膜的有效技术。
基本信息
专利标题 ：
低介电常数聚合物膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1810863A
申请号 ：
CN200610049155.X
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱宝库赵永红徐又一
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
张法高
优先权 ：
CN200610049155.X
主分类号 ：
C08J5/18
IPC分类号 ：
C08J5/18 C08L27/16 C08L81/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08J
加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理
C08J5/00
含有高分子物质的制品或成形材料的制造
C08J5/18
薄膜或片材的制造
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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