一种高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法
公开
摘要
本发明属于有机/无机复合材料领域，公开了一种具有高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法。该复合材料由聚酰亚胺为基体，以聚酰亚胺包裹片状石墨(FG)制备FG@PI复合颗粒为介电填料，制备聚PI/FG@PI复合薄膜材料。其中，FG@PI复合颗粒所占的聚酰亚胺的量份数为5‑50wt％。按照本发明的制备方法，能够获得较高的介电常数、极低的介电损耗的聚酰亚胺PI/FG@PI复合薄膜。本发明制备的高介电常数聚酰亚胺复合薄膜材料用于高密度的能量存储装置。
基本信息
专利标题 ：
一种高介电常数聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381040A
申请号 ：
CN202210093981.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李科彭明云黄丙亮程杰左文燕胡磊
申请人 ：
四川轻化工大学
申请人地址 ：
四川省自贡市自流井区汇兴路519号
代理机构 ：
北京百年育人知识产权代理有限公司
代理人 ：
张鹭丝
优先权 ：
CN202210093981.3
主分类号 ：
C08K9/12
IPC分类号 ：
C08K9/12 C08K7/00 C08L79/08 C08J5/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08K
使用无机物或非高分子有机物作为配料
C08K9/00
使用预处理的配料
C08K9/12
吸附的配料
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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