一种低介电常数高熵薄膜及其制备方法
授权
摘要
本发明涉及薄膜材料领域，具体涉及一种低介电常数高熵薄膜及其制备方法，本发明低介电常数高熵薄膜包括：SrTiO3基片、置于SrTiO3基片表面的La0.7Sr0.3MnO3缓冲层以及设置于La0.7Sr0.3MnO3缓冲层表面的Ba(Zr0.2Sn0.2Ti0.2Hf0.2Me0.2)O3薄膜，Me为过渡族金属元素离子。本发明低介电常数高熵薄膜具有比较致密的结构，并具有低介电常数和低介电损耗的特征。
基本信息
专利标题 ：
一种低介电常数高熵薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113718330A
申请号 ：
CN202110846717.8
公开（公告）日 ：
2021-11-30
申请日 ：
2021-07-26
授权号 ：
CN113718330B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
娄晓杰乔文婧
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
李红霖
优先权 ：
CN202110846717.8
主分类号 ：
C30B23/02
IPC分类号 ：
C30B23/02 C30B29/22 C23C14/08 C23C14/35
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B23/02
外延层生长
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-12-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/02
申请日 : 20210726
申请日 : 20210726
2021-11-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN113718330A.PDF
PDF下载
