低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜及其制备方法和应用

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摘要

本发明公开了一种低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜及其制备方法和应用，属于高分子合成技术领域。本发明将可交联聚芳醚腈I、催化剂溶于极性溶剂中，通过流延成膜法，制得可交联型聚芳醚腈薄膜；其经烘干成型后，再进行高温热处理；冷却后，将薄膜浸泡在水，烘干，得到低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜。本发明以可交联的含氟聚芳醚腈为原料，通过交联反应，使聚芳醚腈主链上的极性氰基基团发生交联反应，形成致密的网络结构，从而得到低介电含氟聚芳醚腈薄膜，且具有更加优异的耐热性和强度。本发明制备方法简单且易于工业化操作，所得低介电薄膜可应用在集成电路、5g通信天线材料或柔性覆铜板等领域。

基本信息

专利标题：

低介电常数交联型含氟聚芳醚腈薄膜及其制备方法和应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112851996A

申请号：

CN202110309603.X

公开（公告）日：

2021-05-28

申请日：

2021-03-23

授权号：

CN112851996B

授权日：

2022-05-20

发明人：

黄宇敏刘宸辰曾子秋王登善刘孝波

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

成都虹桥专利事务所(普通合伙)

代理人：

张小丽

优先权：

CN202110309603.X

主分类号：

C08J7/12

IPC分类号：

C08J7/12 C08J5/18 C08L71/10 C08G65/40