半导体器件
授权
摘要
包括存储系统的半导体器件被配置为接收搜索数据的输入并在诸如CAM等的存储单元阵列的相应行中并行搜索保持在存储器中的数据。存储系统通过监控搜索命令保持的FIFO缓冲器的填充比来检测输入的搜索数据的流入量是否至少为固定量。存储系统通过将存储单元阵列划分为多块并根据检测结果将每个块设置为搜索处理对象来控制搜索处理的速度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106803428A
申请号 ：
CN201611055279.9
公开（公告）日 ：
2017-06-06
申请日 ：
2016-11-25
授权号 ：
CN106803428B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
三木武夫
申请人 ：
瑞萨电子株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
李辉
优先权 ：
CN201611055279.9
主分类号 ：
G11C15/04
IPC分类号 ：
G11C15/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C15/00
所存储的信息是由一个或多个被写入的特征部分所组成并且该信息是通过搜索一个或多个这些特征部分进行读出的数字存储器，即相联存储器或内容编址存储器
G11C15/04
应用半导体元件的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2018-12-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 15/04
申请日 : 20161125
申请日 : 20161125
2017-06-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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