SRAM中的自动闭锁防止
授权
摘要
一种片上系统(SOC)包括处理器和被耦合到该处理器的存储器系统(104)。该存储器系统(104)包括静态随机存取存储器(SRAM)存储体202和存储器控制器204。该SRAM存储体202包括被耦合到SRAM阵列电源和SRAM阵列中的SRAM存储单元的晶体管的源极的第一开关。该SRAM存储体202也包括被耦合到NWELL电源和SRAM存储单元的晶体管的本体的第二开关。第二开关被配置为在SRAM阵列的上电期间在第一开关闭合之前闭合。
基本信息
专利标题 ：
SRAM中的自动闭锁防止
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN106898375A
申请号 ：
CN201611173618.3
公开（公告）日 ：
2017-06-27
申请日 ：
2016-12-13
授权号 ：
CN106898375B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
S·R·施瑞德哈尔S·K·苏曼P·希萨拉曼K·B·钦塔马尼A·R·勒乐R·S·拉奥P·K·拉娜A·苏夫拉穆尼亚V·K·辛格哈尔M·S·沙哈B·K·波卢瑞
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐东升
优先权 ：
CN201611173618.3
主分类号 ：
G11C11/417
IPC分类号 ：
G11C11/417 G11C5/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2018-11-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/417
申请日 : 20161213
申请日 : 20161213
2017-06-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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