包括多个量子处理元件的先进处理装置
授权
摘要
本公开提供了针对用于执行量子处理的先进处理装置的可扩展架构。该架构基于全硅CMOS制造技术。基于晶体管的控制电路与浮置栅极一起被用于操作量子位的二维阵列。该量子位由被限制在量子点中的单个电子的自旋状态来限定。
基本信息
专利标题 ：
包括多个量子处理元件的先进处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107851645A
申请号 ：
CN201680045977.2
公开（公告）日 ：
2018-03-27
申请日 ：
2016-08-05
授权号 ：
CN107851645B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
A·德祖拉克M·维尔德霍斯特C-W·H·杨
申请人 ：
新南创新私人有限公司
申请人地址 ：
澳大利亚新南威尔士州
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕俊刚
优先权 ：
CN201680045977.2
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 B82Y10/00 H01L21/20 H01L21/28 H01L21/31 H01L29/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2018-06-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/10
申请日 : 20160805
申请日 : 20160805
2018-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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