发光元件和包括发光元件的发光元件封装
授权
摘要

发光元件的实施例包括:衬底;第一导电半导体层,该第一导电半导体层被设置在衬底上;有源层,该有源层被设置在第一导电半导体层上,有源层包括被交替地堆叠的多个量子阱层和多个量子势垒层;第二导电半导体层,该第二导电半导体层被设置在有源层上;接触层,该接触层被设置在第二导电半导体层上;电流扩展层,该电流扩展层被设置在接触层上;以及电流阻挡层,该电流阻挡层被设置在第二导电半导体层上,其中接触层和/或电流扩展层可以被提供以围绕电流阻挡层的至少一部分,使得当米勒平面指数为400时,X射线衍射光束的强度变成最大。

基本信息
专利标题 :
发光元件和包括发光元件的发光元件封装
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN108604622A
申请号 :
CN201780009234.4
公开(公告)日 :
2018-09-28
申请日 :
2017-02-02
授权号 :
CN108604622B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
崔炳然
申请人 :
LG伊诺特有限公司
申请人地址 :
韩国首尔
代理机构 :
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 :
达小丽
优先权 :
CN201780009234.4
主分类号 :
H01L33/14
IPC分类号 :
H01L33/14  H01L33/06  H01L33/38  H01L33/20  
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法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-07-27 :
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 33/14
登记生效日 : 20210715
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : LG 伊诺特有限公司
变更后权利人 : 苏州乐琻半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 韩国首尔
变更后权利人 : 江苏省苏州市太仓市常胜北路168号
2019-03-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20170202
2018-09-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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