状态机控制的MOS线性电阻器
授权
摘要
一种采样保持电路，其包括：采样电容器；第一晶体管；第一开关，其位于所述第一晶体管的栅电极和源电极之间；第一电流源，其连接至所述第一晶体管的所述源电极；以及电阻元件和第二开关，所述电阻元件和所述第二开关并联连接在所述第一晶体管的漏电极和预定电压之间。所述电阻元件可以包括第二晶体管，所述第二晶体管根据所述第二晶体管的栅电极处的栅控信号被偏置以在线性区域中操作；或者所述电阻元件可以包括并联连接的多个晶体管组，各个晶体管组包括第二晶体管，所述第二晶体管根据所述第二晶体管的栅电极处的栅控信号被偏置以在线性区域中操作。栅控信号可以来自包括状态机的电路。
基本信息
专利标题 ：
状态机控制的MOS线性电阻器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108141220A
申请号 ：
CN201680058730.4
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2016-10-14
授权号 ：
CN108141220B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
诺姆·埃谢尔阿米特·索科洛夫戈兰·蔡特尼
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王新春
优先权 ：
CN201680058730.4
主分类号 ：
H03M1/12
IPC分类号 ：
H03M1/12 G11C27/02 H04N5/378
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-11-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03M 1/12
申请日 : 20161014
申请日 : 20161014
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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