高掷数RF开关

授权

摘要

一种基于高掷数多极FET的RF开关架构，其在插入损耗、返回损耗、隔离、线性度和功率处理方面提供了良好的RF性能。公共端口RFC沿公共路径耦接到多个端口RFn。实施方式引入了由状态相关逻辑控制的另外的公共RF路径分支隔离开关。分支隔离开关帮助将未使用的分支端口RFn和公共路径的未使用部分与公共路径的起作用的部分相隔离，并由此降低了可归因于这样的分支的电抗性负载，该电抗性负载使“较靠近”公共端口RFC的端口RFn的RF性能降级。还可以使用分支隔离开关来针对多路复用功能而重新配置开关架构以及出于可重新配置性目的、调谐或改变开关掷数和封装选项而重新配置单独的开关路径组。

基本信息

专利标题：

高掷数RF开关

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108781079A

申请号：

CN201680083387.9

公开（公告）日：

2018-11-09

申请日：

2016-12-15

授权号：

CN108781079B

授权日：

2022-04-05

发明人：

埃里克·S·夏皮罗佩曼·尚贾尼

申请人：

派赛公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

康建峰

优先权：

CN201680083387.9

主分类号：

H03K17/693

IPC分类号：

H03K17/693 H04B1/04 H04B1/48