基于雪崩光电二极管的图像感测器

授权

摘要

本文公开这样的装置，其包括：雪崩光电二极管(APD)阵列，APD中的每个包括吸收区和放大区；其中吸收区配置成从吸收区所吸收的光子产生载流子；其中放大区包括结，在该结中具有电场；其中电场处于足以导致进入放大区的载流子雪崩但不足以使雪崩自持的值；其中APD的结是离散的。

基本信息

专利标题：

基于雪崩光电二极管的图像感测器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109314153A

申请号：

CN201680086483.9

公开（公告）日：

2019-02-05

申请日：

2016-06-21

授权号：

CN109314153B

授权日：

2022-05-17

发明人：

曹培炎刘雨润

申请人：

深圳帧观德芯科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室

代理机构：

深圳市六加知识产权代理有限公司

代理人：

罗水江

优先权：

CN201680086483.9

主分类号：

H01L31/107

IPC分类号：

H01L31/107

法律状态

2022-05-17 ：

授权

2022-03-15 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 31/107
变更事项 : 申请人
变更前 : 深圳帧观德芯科技有限公司
变更后 : 深圳帧观德芯科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗社区信宜五路13号塘朗工业B区集悦城众创产业园52栋201
变更后 : 518000 广东省深圳市南山区招商街道沿山社区南海大道1019号南山医疗器械产业园A、B座B507

2020-05-01 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 31/107
变更事项 : 申请人
变更前 : 深圳帧观德芯科技有限公司
变更后 : 深圳帧观德芯科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 518054 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室
变更后 : 518071 广东省深圳市南山区桃源街道塘朗社区信宜五路13号塘朗工业B区集悦城众创产业园52栋201

2019-07-12 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20160621

2019-02-05 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载