具有自适应预充电策略的DRAM控制器
授权
摘要
本公开的各实施例总体上涉及具有自适应预充电策略的DRAM控制器。具体地，动态随机访问存储器(DRAM)控制器包括存储器接口和处理器。该存储器接口被配置为与包括一个或多个存储器组的DRAM通信。该处理器被配置为接收输入/输出(I/O)命令，每个I/O命令寻址将在DRAM中被访问的相应存储器组和该存储器组内的相应行，进一步接收一个或多个指示，指示后续I/O命令将寻址与先前I/O命令同一存储器组中同一行的可能性，基于指示，自适应设置用于解激活DRAM的行的策略，以及根据该策略执行DRAM中的I/O命令。
基本信息
专利标题 ：
具有自适应预充电策略的DRAM控制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107274926A
申请号 ：
CN201710117918.8
公开（公告）日 ：
2017-10-20
申请日 ：
2017-03-01
授权号 ：
CN107274926B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
M·韦纳许宏麟N·克莱因徐军华简嘉宏
申请人 ：
马维尔国际贸易有限公司
申请人地址 ：
巴巴多斯圣米加勒
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
酆迅
优先权 ：
CN201710117918.8
主分类号 ：
G11C11/4096
IPC分类号 ：
G11C11/4096
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/409
读写电路
G11C11/4096
输入/输出数据管理或控制电路，例如读或写电路、I/O驱动器、位线开关
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-05-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : G11C 11/4096
登记生效日 : 20200426
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 马维尔国际贸易有限公司
变更后权利人 : 马维尔国际有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 圣米加勒
变更后权利人 : 百慕大哈密尔顿
登记生效日 : 20200426
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 马维尔国际贸易有限公司
变更后权利人 : 马维尔国际有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 圣米加勒
变更后权利人 : 百慕大哈密尔顿
2020-05-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : G11C 11/4096
登记生效日 : 20200426
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 凯为国际公司
变更后权利人 : 马维尔亚洲私人有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛福特街
变更后权利人 : 新加坡新加坡城
登记生效日 : 20200426
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 凯为国际公司
变更后权利人 : 马维尔亚洲私人有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 开曼群岛大开曼岛福特街
变更后权利人 : 新加坡新加坡城
2020-05-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : G11C 11/4096
登记生效日 : 20200426
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 马维尔国际有限公司
变更后权利人 : 凯为国际公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 百慕大哈密尔顿
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛福特街
登记生效日 : 20200426
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 马维尔国际有限公司
变更后权利人 : 凯为国际公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 百慕大哈密尔顿
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛福特街
2018-10-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/4096
申请日 : 20170301
申请日 : 20170301
2017-10-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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