一种提高芯片预烧焊产能工艺
授权
摘要
本发明公开了一种提高芯片预烧焊产能工艺，该方法包括如下步骤：S1.助焊剂喷涂：于待喷涂石墨模具表面喷涂助焊剂，形成待预烧焊石墨模具，将多个待预烧焊石墨模具叠放形成待预烧焊石墨模具组；S2.芯片预烧焊：将待预烧焊石墨模具组送入预烧焊炉中进行预烧焊。本发明芯片预烧焊焊接时在石墨板下层加一层铝箔并用2～4层石墨板烧结预焊，预烧焊后不良率降低到1％甚至以下，且生产产能至少提高2倍。
基本信息
专利标题 ：
一种提高芯片预烧焊产能工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109755104A
申请号 ：
CN201711059156.7
公开（公告）日 ：
2019-05-14
申请日 ：
2017-11-01
授权号 ：
CN109755104B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
王鹏梁效峰宋楠徐长坡陈澄杨玉聪王晓捧朱建佶
申请人 ：
天津环鑫科技发展有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201711059156.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20171101
申请日 : 20171101
2019-05-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
