半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法
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摘要
提供了一种半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，其包括：使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；测量半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及基于吸收光谱中的极值确定出半导体性单壁碳纳米管样品的纯度。
基本信息
专利标题 ：
半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109870418A
申请号 ：
CN201711246759.8
公开（公告）日 ：
2019-06-11
申请日 ：
2017-12-01
授权号 ：
CN109870418B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
韩杰
申请人 ：
北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北大街123号64号楼（2415室）
代理机构 ：
北京鼎承知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟奎
优先权 ：
CN201711246759.8
主分类号 ：
G01N21/31
IPC分类号 ：
G01N21/31 G01N1/38
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/25
颜色；光谱性质，即比较材料对两个或多个不同波长或波段的光的影响
G01N21/31
测试材料在特定元素或分子的特征波长下的相对效应，例如原子吸收光谱术
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-07-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/31
申请日 : 20171201
申请日 : 20171201
2019-06-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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