高纯度、窄直径分布、小直径双壁碳纳米管的制备方法
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摘要

本发明涉及碳纳米管的结构控制制备领域,具体为一种高纯度、窄直径分布、小直径双壁碳纳米管的制备方法。采用浮动催化剂化学气相沉积法,以甲苯和乙烯为碳源、二茂铁为催化剂前驱体、硫为生长促进剂、氢气为载气生长碳纳米管。产物中双壁碳纳米管根数占碳纳米管总根数的50~70%,其余为单壁碳纳米管。将产物在空气中热处理,氧化去除产物中的无定型炭和单壁碳纳米管,处理后双壁碳纳米管的根数占碳纳米管总根数的95%以上,且双壁碳纳米管结构完整,直径集中分布于1.8~2.3nm,集中氧化温度大于800℃。最终,实现高纯度、窄直径分布、小直径双壁碳纳米管的制备。

基本信息
专利标题 :
高纯度、窄直径分布、小直径双壁碳纳米管的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110040720A
申请号 :
CN201910325448.3
公开(公告)日 :
2019-07-23
申请日 :
2019-04-22
授权号 :
CN110040720B
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
刘畅石超侯鹏翔成会明
申请人 :
中国科学院金属研究所
申请人地址 :
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 :
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
张志伟
优先权 :
CN201910325448.3
主分类号 :
C01B32/17
IPC分类号 :
C01B32/17  C01B32/16  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B32/00
碳;其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/158
碳纳米管
C01B32/168
后处理
C01B32/17
纯化
法律状态
2022-05-31 :
授权
2019-08-16 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/17
申请日 : 20190422
2019-07-23 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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