制造超导体和声子元件的方法
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摘要
提供制造超导体元件的方法和一种制造声子元件的方法。所述制造超导体元件的方法包括在材料中形成周期性图案化结构以更改所述材料的初级层(M)中的电子结构的步骤，所述电子结构与所述初级层(M)的所述或每个声子耦合以在所述初级层(M)中诱导超导性或修改所述初级层的所述超导性，和/或所述制造超导体元件的方法包括在材料中形成周期性图案化结构以在所述材料的初级层(M)中产生一个或多个声子或更改所述材料的初级层(M)中的一个或多个声子的步骤，所述一个或多个声子与所述初级层(M)的电子耦合以在所述初级层(M)中诱导超导性或修改所述初级层的所述超导性。所述制造声子元件的方法包括以下步骤：将材料的初级层(M)和次级层(M2)中的一个设于所述材料的所述初级层(M)和所述次级层(M2)中的另一个上；以及在所述次级层(M2)中形成周期性图案化结构以在所述初
基本信息
专利标题 ：
制造超导体和声子元件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108701750A
申请号 ：
CN201780011382.X
公开（公告）日 ：
2018-10-23
申请日 ：
2017-01-12
授权号 ：
CN108701750B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
米兰·艾伦
申请人 ：
莱顿大学
申请人地址 ：
荷兰莱顿
代理机构 ：
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李丙林
优先权 ：
CN201780011382.X
主分类号 ：
H01L39/12
IPC分类号 ：
H01L39/12
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2018-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 39/12
申请日 : 20170112
申请日 : 20170112
2018-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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