复合体及晶体管
授权
摘要
本发明提供一种新颖的材料。本发明是一种混合有第一区域及多个第二区域的复合氧化物半导体。其中，第一区域至少含有铟、元素M(元素M是Al、Ga、Y和Sn中的一个或多个)及锌，多个第二区域含有铟和锌。由于多个第二区域具有比第一区域更高的铟浓度，所以多个第二区域具有比第一区域更高的导电性。多个第二区域中的一个的端部与多个第二区域中的另一个的端部重叠。多个第二区域被第一区域立体地围绕。
基本信息
专利标题 ：
复合体及晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108780819A
申请号 ：
CN201780016678.0
公开（公告）日 ：
2018-11-09
申请日 ：
2017-02-27
授权号 ：
CN108780819B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李志强
优先权 ：
CN201780016678.0
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 C23C14/08 H01L21/363 H01L21/8242 H01L27/108 H01L27/146
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-04-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20170227
申请日 : 20170227
2018-11-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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