集落形成培养基及其用途

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摘要

本发明涉及一种用于产生间充质干细胞(MSC)的方法，所述方法包括在含氧量正常的条件下在包含LiCl和FGF2但不包含PDGF的间充质集落形成培养基(M‑CFM)中培养原始中胚层细胞持续足以形成间充质集落的时间，和贴壁培养所述间充质集落以产生所述MSC，其中相对于不在所述M‑CFM中产生的MSC，所述MSC具有卓越的T细胞免疫抑制特性。本发明还涉及通过所述方法产生的MSC，通过所述方法产生的MSC的群体，包含通过所述方法产生的MSC的治疗性组合物，M‑CFM和浓缩形式的M‑CFM，以及所述MSC或群体在治疗疾病中的方法和用途。

基本信息

专利标题：

集落形成培养基及其用途

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108884441A

申请号：

CN201780017613.8

公开（公告）日：

2018-11-23

申请日：

2017-03-14

授权号：

CN108884441B

授权日：

2022-05-06

发明人：

I·斯卢克文G·乌伊尼什D·黑D·德里耶

申请人：

洋蓟治疗有限公司

申请人地址：

澳大利亚维多利亚州

代理机构：

北京坤瑞律师事务所

代理人：

封新琴

优先权：

CN201780017613.8

主分类号：

C12N5/0775

IPC分类号：

C12N5/0775 A61K35/28 A61P37/06 A61P37/02 A61P25/00 A61P19/00 A61P9/00 A61P9/10 A61P1/00