人造神经元

授权

摘要

本发明涉及一种人造神经元(1；1')，包括：‑所谓的膜电容器(Cm)；‑电流形式的所谓的外部突触激励(Iex)的输入，膜电容器(Cm)对该输入电流进行积分；‑负反馈脉冲电路，其由电源(Vs，Vd)以负电压(Vs)和正电压(Vd)供电，负电压(Vs)介于‑200mV和0mV之间，正电压(Vd)位于介于0mV和+200mV之间，包括：●桥，其基于串联的pMOS(8)和nMOS(7)晶体管并通过中点(9)连接到膜电容器(Cm)，该中点(9)定义人造神经元(1；1')的输出，●至少一个所谓的延迟电容器(Cna、Ck)，其位于桥的晶体管(7、8)之一的栅极和源极之间，至少有两个CMOS反相器(5、6；10、11、12)，其位于膜电容器(Cm)和所述桥的晶体管的栅极之间。

基本信息

专利标题：

人造神经元

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109478249A

申请号：

CN201780036378.9

公开（公告）日：

2019-03-15

申请日：

2017-04-07

授权号：

CN109478249B

授权日：

2022-04-29

发明人：

A·卡比F·丹尼维尔V·赫尔C·洛耶兹

申请人：

里尔大学;法国国家科研中心

申请人地址：

法国里尔

代理机构：

北京市中伦律师事务所

代理人：

杨黎峰

优先权：

CN201780036378.9

主分类号：

G06N3/04

IPC分类号：

G06N3/04 G06N3/063