用于制造低K膜以填充表面特征的前体和可流动CVD法
授权
摘要
一种用于沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含至少一个表面特征的衬底放入可流动CVD反应器中；向所述反应器中引入至少一种含硅化合物和至少一种多官能有机胺化合物以使所述至少一种含硅化合物至少部分地反应而形成可流动液体低聚物，其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成氧化硅涂层并且至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。一旦固化，该碳氮化硅涂层具有优异的机械性能。
基本信息
专利标题 ：
用于制造低K膜以填充表面特征的前体和可流动CVD法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110023535A
申请号 ：
CN201780074937.5
公开（公告）日 ：
2019-07-16
申请日 ：
2017-10-25
授权号 ：
CN110023535B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
萧满超D·P·思朋斯R·何
申请人 ：
弗萨姆材料美国有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
吴亦华
优先权 ：
CN201780074937.5
主分类号 ：
C23C16/30
IPC分类号 ：
C23C16/30 C23C16/40 C23C16/50 C23C16/48 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-08-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/30
申请日 : 20171025
申请日 : 20171025
2019-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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