镀金表面硅纳米柱电极及其应用
授权
摘要
本发明属于基因导入技术领域，具体涉及一种镀金表面硅纳米柱电极及其应用。本发明所述电极以硅片为基底，所述硅片包括第一表面和第二表面，所述硅片的第一表面上具有若干个纳米柱状凸起，各个纳米柱状凸起之间存在间隙，所述硅片的第一表面上及各纳米柱状凸起上均包覆有镀金层。本发明所述电极组建成的细胞电转染装置能够转染贴壁细胞或者悬浮细胞等多种细胞，能够对大量细胞进行电穿孔试验，细胞存活率高，转染效果良好，具有极高的应用价值。
基本信息
专利标题 ：
镀金表面硅纳米柱电极及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108060078A
申请号 ：
CN201810111991.9
公开（公告）日 ：
2018-05-22
申请日 ：
2018-02-05
授权号 ：
CN108060078B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
徐宇虹王小也
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路800号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
李艳
优先权 ：
CN201810111991.9
主分类号 ：
C12M1/42
IPC分类号 ：
C12M1/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C12
生物化学；啤酒；烈性酒；果汁酒；醋；微生物学；酶学；突变或遗传工程
C12M
酶学或微生物学装置
C12M1/34
•用条件测量或信号传感方法测量或检验，如菌落计数器
C12M1/42
用电或波能处理微生物或酶的装置
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2018-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C12M 1/42
申请日 : 20180205
申请日 : 20180205
2018-05-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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