超声波指纹识别传感器及其制作方法
授权
摘要
本申请公开了一种超声波指纹识别传感器及其制作方法，其中所述传感器包括依次设置的CMOS背板层、缓冲层、PVDF层、ITO发送电极，CMOS背板层包括CMOS结构和ITO接收电极，缓冲层包括SiNx，ITO接收电极间隔地嵌入在缓冲层中，其中，在缓冲层和PVDF层之间还设置隔离层，用于将缓冲层与PVDF部分或完全隔开。根据本申请实施例的技术方案，能够用Array工艺制作的PVDF超声波指纹识别传感器，其具有高分辨率和信噪比，穿透膜厚高的优点，同时降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
超声波指纹识别传感器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108921115A
申请号 ：
CN201810753170.5
公开（公告）日 ：
2018-11-30
申请日 ：
2018-07-10
授权号 ：
CN108921115B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘文渠张锋吕志军董立文党宁张世政宋晓欣崔钊郑智仁赵利军郭玉珍
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭栋梁
优先权 ：
CN201810753170.5
主分类号 ：
G06K9/00
IPC分类号 ：
G06K9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06K
数据识别；数据表示；记录载体；记录载体的处理
G06K9/00
用于阅读或识别印刷或书写字符或者用于识别图形，例如，指纹的方法或装置
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2018-12-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06K 9/00
申请日 : 20180710
申请日 : 20180710
2018-11-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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