一种射频开关ESD系统

授权

摘要

本发明公开了一种射频开关ESD系统，包括控制模块、滤波器、射频模块及ESD设计，本发明于所述射频模块的天线‑射频地增加正反双向RF ESD泄放通路，以降低射频开关器件ESD通路间开启电压差，缓解了ESD竞争，增强了ESD能力，本发明还通过在去耦合LPF两端增加钳位保护ESD泄放电路，以保护模拟及数字电路器件安全。

基本信息

专利标题：

一种射频开关ESD系统

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109104173A

申请号：

CN201810800636.2

公开（公告）日：

2018-12-28

申请日：

2018-07-20

授权号：

CN109104173B

授权日：

2022-05-10

发明人：

戴若凡

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

屈蘅

优先权：

CN201810800636.2

主分类号：

H03K17/08

IPC分类号：

H03K17/08

法律状态

2022-05-10 ：

授权

2019-01-22 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H03K 17/08
申请日 : 20180720

2018-12-28 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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