一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法
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摘要
本发明公开了一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法，包括以下步骤：1)选取在石墨烯层上生长的钙钛矿氧化物压电薄膜；2)选择金属Cr作为金属应力层材料；3)Cr金属应力层生长过程中，控制氩气气压在0.3～1.0Pa；控制Cr金属应力层生长在40～100W的低功率生长5～10分钟，而后使用150W～200W的高功率生长2小时；4)步骤3)得到的Cr应力层/薄膜/石墨烯/衬底上粘胶带，并将胶带撕离衬底，实现压电薄膜的剥离。本发明为了实现简便地在任意柔性衬底上制备具有高质量的钙钛矿氧化物压电薄膜，利用石墨烯与三维材料接触形成的微弱的范德瓦尔斯力以及金属应力层，实现钙钛矿氧化物压电薄膜的剥离，并进一步完成薄膜的转移。
基本信息
专利标题 ：
一种利用金属应力层剥离石墨烯上钙钛矿氧化物压电薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109166790A
申请号 ：
CN201810849986.8
公开（公告）日 ：
2019-01-08
申请日 ：
2018-07-28
授权号 ：
CN109166790B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
牛刚代立言任巍赵金燕赵慧丰刘逸为刘学森王伟超武和平王延昆
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
徐文权
优先权 ：
CN201810849986.8
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-02-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20180728
申请日 : 20180728
2019-01-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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