激光退火装置及表面电阻计算装置
授权
摘要
本发明提供一种能够减小测量表面电阻的工时并且以非接触方式测量表面电阻的激光退火装置。半导体晶片保持在载物台。激光束从激光光学系统入射于保持在载物台上的半导体晶片。来自保持在载物台上半导体晶片的热辐射光入射于红外线检测仪。红外线检测仪输出与热辐射光的强度相对应的信号。处理装置根据红外线检测仪的输出值，计算出通过激光束退火后的半导体晶片的表面电阻，并将表面电阻的计算值输出至输出装置。
基本信息
专利标题 ：
激光退火装置及表面电阻计算装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427626A
申请号 ：
CN201810914185.5
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2018-08-13
授权号 ：
CN109427626B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
田中哲平
申请人 ：
住友重机械工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN201810914185.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2019-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180813
申请日 : 20180813
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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