高频磁场产生装置
授权
摘要
本发明的高频磁场产生装置，能够在广泛的范围内生成大致均匀的三维高频磁场，且能够提高光检测磁共振等的检测灵敏度；两个线圈(L1、L2)以夹着电子自旋共振材料的方式相隔规定间隔相互平行地配置；高频电源(1)生成导通至该两个线圈(L1、L2)的微波电流；两个线路体(S1、S2)分别与该两个线圈(L1、L2)连接，并以使该两个线圈(L1、L2)位于驻波的波节之外的位置的方式设定电流分布。
基本信息
专利标题 ：
高频磁场产生装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109490804A
申请号 ：
CN201810921098.2
公开（公告）日 ：
2019-03-19
申请日 ：
2018-08-14
授权号 ：
CN109490804B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
芳井义治斋藤正树水落宪和林宽
申请人 ：
胜美达集团株式会社;国立大学法人京都大学
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
上海音科专利商标代理有限公司
代理人 ：
刘香兰
优先权 ：
CN201810921098.2
主分类号 ：
G01R33/38
IPC分类号 ：
G01R33/38 H01F5/00 H01F5/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/20
涉及磁共振
G01R33/28
G01R33/44到G01R33/64各组中仪器的零部件
G01R33/38
主磁场或梯度磁场的产生、均匀或稳定系统
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-07-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/38
申请日 : 20180814
申请日 : 20180814
2019-08-09 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : G01R 33/38
登记生效日 : 20190722
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 胜美达集团株式会社
变更后权利人 : 胜美达集团株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本国东京都
变更后权利人 : 日本国东京都
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 国立大学法人京都大学
登记生效日 : 20190722
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 胜美达集团株式会社
变更后权利人 : 胜美达集团株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本国东京都
变更后权利人 : 日本国东京都
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 国立大学法人京都大学
2019-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
