高稀土含量的硅铝酸盐晶体及其制备方法和应用
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摘要
本发明公开了一类高稀土含量的硅铝酸盐晶体及其制备方法和应用，所述硅铝酸盐晶体的化学式为R5AlSi2O13，其中R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种；该类硅铝酸盐晶体可采用助熔剂法和提拉法生长晶体，具有大尺寸、光学均一性高等特点。本发明还公开了硅铝酸铽晶体，在633nm的Verdet系数高达‑168rad/m.T，在制作磁光隔离器时可以减小晶体的长度，便于器件的紧凑，降低成本；还公开了硅铝酸钆晶体，其理论磁热效应因子(MCE)高达81.47J kg‑1K‑1，是商用Gd3Ga5O15(GGG)的1.74倍，在作为磁制冷剂方面具有巨大潜力。
基本信息
专利标题 ：
高稀土含量的硅铝酸盐晶体及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111101203A
申请号 ：
CN201811252705.7
公开（公告）日 ：
2020-05-05
申请日 ：
2018-10-25
授权号 ：
CN111101203B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
李如康陶策
申请人 ：
中国科学院理化技术研究所;中国科学院大学
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村东路29号
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
赵晓丹
优先权 ：
CN201811252705.7
主分类号 ：
C30B29/22
IPC分类号 ：
C30B29/22 C30B9/12 C30B15/00 H01F1/01
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-11-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/22
申请日 : 20181025
申请日 : 20181025
2020-05-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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