一种生长促进剂可控制备不含硫杂质的单壁碳纳米管方法
授权
摘要
本发明涉及低催化剂含量、不含硫杂质的高质量单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种生长促进剂可控制备不含硫杂质的单壁碳纳米管方法。以硒吩作为生长促进剂前驱体，二茂铁作为催化剂前驱体，并将两者溶解在甲苯溶剂中，通过超声波喷头将溶液转化为气溶胶，再由载气带入高温区，催化乙烯分解形核生长高质量、高纯度(IG/ID达180，催化剂含量<4.5wt.％)、不含硫杂质的单壁碳纳米管。本发明以硒代替硫作为生长促进剂，实现制备低催化剂残余、不含硫杂质的高质量单壁碳纳米管；同时，避免生长碳纳米管的尾气中含有难以分离的硫化氢气体，便于尾气的处理及循环利用，实现宏量制备低催化剂含量的高质量单壁碳纳米管。
基本信息
专利标题 ：
一种生长促进剂可控制备不含硫杂质的单壁碳纳米管方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109607513A
申请号 ：
CN201811445735.X
公开（公告）日 ：
2019-04-12
申请日 ：
2018-11-29
授权号 ：
CN109607513B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
刘畅李晓齐蒋松侯鹏翔成会明
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
代理机构 ：
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张志伟
优先权 ：
CN201811445735.X
主分类号 ：
C01B32/159
IPC分类号 ：
C01B32/159 C01B32/162
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/158
碳纳米管
C01B32/159
单壁的
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-05-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/159
申请日 : 20181129
申请日 : 20181129
2019-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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