晶圆缺陷的感测系统及感测方法
授权
摘要
提供一种晶圆缺陷的感测系统，其包括：定向传感器、基座以及缺陷传感器。定向传感器被配置以在晶圆斜角上探测定向基准部。基座被配置以旋转晶圆，以允许定向传感器探测定向基准部并将定向基准部放置于预定的定向位置。缺陷传感器被配置以在基座旋转晶圆时沿晶圆表面探测晶圆缺陷。还提供一种晶圆缺陷的感测方法。
基本信息
专利标题 ：
晶圆缺陷的感测系统及感测方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110323148A
申请号 ：
CN201811485836.X
公开（公告）日 ：
2019-10-11
申请日 ：
2018-12-06
授权号 ：
CN110323148B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
刘晏宏杨明耀陈哲夫
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN201811485836.X
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/687
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2019-11-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20181206
申请日 : 20181206
2019-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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